半导体 / FPD·OLED·PCB 超纯水系统(SEMI F63)

半导体、FPD、OLED 与 PCB 用超纯水及高纯水系统 — 18.2 MΩ·cm,SEMI F63 / IPC-9592

双级 RO + EDI + 抛光混床 + 185 nm UV 用于晶圆厂(18.2 MΩ·cm),RO → EDI → 子环抛光用于显示与 PCB 清洗(10–16 MΩ·cm)。面向晶圆厂、先进封装、OLED/LCD 及化合物半导体产线。能力覆盖 0.5 t/h 实验室中试至 100 t/h 生产系列。

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SEMI F63 / ASTM D5127 E1.218.2 MΩ·cm 已验证IPC-9592 / E2–E3(FPD/PCB)0.5–100 t/h

为何半导体晶圆厂无法接受低于 18.2 MΩ·cm 的水质

单个 0.1 µm 颗粒或 1 ppb TOC(总有机碳)波动即可报废整批 EUV 光刻晶圆。我们按 SEMI F63 与 ASTM D5127-13 Type E1.1 / E1.2 设计,确保在瞬态用水需求下也能维持这些指标——而非仅稳态时达标。

您测量的指标重要性我们维持的目标
电阻率总离子污染18.2 MΩ·cm @ 25 °C
TOC(总有机碳)光刻胶缺陷< 5 ppb(在线)
颗粒图形缺陷< 1/mL @ ≥ 0.05 µm
二氧化硅晶圆表面沉积< 0.5 ppb
细菌 / 内毒素良率杀手< 1 CFU/L

我们的标准超纯水(UPW)工艺链

阶段设备功能关键参数
③ 一级 RODOW™ BW30-400去除 95–99% 离子回收率 75–80%
④ 二级 RODOW™ BW30-4040降至 < 5 µS/cm回收率 90%
⑤ EDI(电去离子)Veolia / Suez / QKH-EDI连续去除离子15–18 MΩ·cm
⑥ 抛光混床核级混床树脂最终抛光至 18.2 MΩ·cm混床寿命 12–18 个月
⑦ 185 nm UVTOC(总有机碳)去除光氧化残留 TOC(总有机碳)≥ 30 mJ/cm²
⑨ 分配环路EP 316L SS / PVDF / PFA在使用点维持电阻率Ra ≤ 0.8 µm, 1.5–2 m/s

综合回收率 85–90%,浓水回用至超纯水(UPW)回收与洗涤塔补水。

我们采用的材料

润湿部件材质表面处理
RO 膜壳乙烯基酯内衬 FRP
分配管道电解抛光 316L 不锈钢 / PVDF / PFARa ≤ 0.8 µm
储罐HDPE 衬里碳钢 / PP / PVDF无金属接触
阀门卫生级隔膜阀,EPDM/PTFE无死腔
焊接轨道焊,氩气保护钝化按 ASTM A967

标准产能

型号产水量功率典型应用
UPW-0.50.5 t/h4 kW研发 / 实验室中试
UPW-22 t/h12 kW中试线,OLED 研发
UPW-55 t/h25 kW小批量晶圆厂
UPW-1010 t/h50 kW6"/8" 晶圆厂
UPW-2020 t/h95 kW8"/12" 晶圆厂
UPW-5050 t/h220 kW12" 先进晶圆厂
UPW-100定制定制超大晶圆厂

工程参考 — 面向 12" 晶圆厂的 50 t/h 超纯水(UPW)

该产能等级下的工程参考设计。实际交付项目在我们的关于页面(NDA 下)概述。
参数设计值
进水市政自来水,TDS ≈ 200 ppm,二氧化硅 ≈ 8 ppm
超纯水(UPW)需求50 t/h,1.3× 峰值系数
分配环路1.8 m/s,3× 储罐周转/小时
超纯水(UPW)水质18.2 MΩ·cm,TOC(总有机碳) < 5 ppb,颗粒 < 1/mL
RO / EDI双级 85% 回收率;两条 EDI 线各 25 t/h
分配EP 316L SS,Ra ≤ 0.8 µm,PFA 衬里末段 20 m
控制西门子 S7-1500,Profinet 接入晶圆厂 SCADA,可选 SECS/GEM
交货期PO 后 18–22 周

面向 FPD、OLED 与 PCB 产线 — 高纯水,而非全套超纯水(UPW)

多数显示与电路板制造商不需要 18.2 MΩ·cm。FPD 彩色滤光片清洗、OLED 蒸镀腔清洗与 PCB 漂洗/蚀刻线,正确规格为 10–16 MΩ·cm 清洗水,外加一条独立的低等级工艺环。在无需之处指定全套超纯水(UPW)会增加约 30–50% 的额外资本支出与 40–60% 的运行成本,却无良率收益——我们按产线的正确规格设计。

您测量的指标重要性我们维持的目标
电阻率(清洗)玻璃 / 晶圆 / PCB 上的离子残留10–16 MΩ·cm @ 25 °C
TOC(总有机碳)(清洗)显示屏条痕,玻璃雾面< 50 ppb(在线)
颗粒显示 mura,PCB 焊接缺陷< 10/mL @ ≥ 0.1 µm
二氧化硅玻璃染色< 5 ppb
细菌子环内生物膜< 10 CFU/L
工艺环(蚀刻/CMP)循环回用1–5 MΩ·cm(视阶段而定)

多数 FPD 与 Gen-6+ OLED 产线主环无需抛光混床——EDI + 185 nm UV + 子环储罐在使用点维持约 15 MΩ·cm。我们仅在单个高要求设备(如 EUV 相关量测)或临界进水需要时才加装混床抛光。可选的超滤(UF)+ RO CMP 回收撬装将 60–80% 的蚀刻/CMP 废水回收至预处理。

工程参考 — 面向 Gen-6 OLED 产线的 10 t/h 清洗水

该产能等级下的工程参考设计。实际交付的电子行业项目在我们的关于页面(双方 NDA 下)概述;完整文档可应要求提供。
参数设计值
进水市政自来水,TDS ≈ 200 ppm,二氧化硅 ≈ 8 ppm,游离 Cl₂ < 0.5 ppm
清洗需求平均 10 t/h,1.4× 峰值
清洗水水质15 MΩ·cm @ 使用点,TOC(总有机碳) < 30 ppb,颗粒 < 5/mL @ ≥ 0.1 µm
工艺环(蚀刻/CMP)经超滤(UF)+ RO 回收 2 t/h,回至进水
子环PFA 衬里末段 15 m,1.8 m/s,3× 储罐周转/小时
控制西门子 S7-1500 / Allen-Bradley CompactLogix,Profinet 接入晶圆厂 DCS
交货期PO 后 12–16 周

我们规避的 5 个设计陷阱

  • EDI 启动期间的 TOC(总有机碳)波动 — EDI 出水口设在线 TOC(总有机碳);仅当 TOC(总有机碳) < 10 ppb 持续 24 h 后再向设备供水。
  • 混床再生后颗粒尖峰 — 在出厂验收测试(FAT)预测试;3 天现场交接。
  • 环路内细菌滋生 — 流速 ≥ 1.5 m/s,配合定期热消毒(≥ 80 °C)和/或臭氧。
  • EDI 二氧化硅穿透 — 前置 RO 将二氧化硅降至 0.5 ppm 以下;在设计前期核查。
  • 混床寿命因 CO₂ 吸收而浪费 — N₂ 覆盖与 HEPA 排气过滤器使混床寿命维持在 12–18 个月。
  • 在 10–16 MΩ·cm 已足够时过度指定全套超纯水(UPW)(FPD/OLED/PCB) — 我们先确认产线要求最严苛的使用点,再回推规格。显示产线仅按超纯水(UPW)报价,会让买方多付 30–50% 却无良率收益。

我们依据的标准

  • SEMI F63 — 半导体加工用超纯水(UPW)
  • ASTM D5127-13 — Type E1.1 / E1.2(晶圆超纯水(UPW))与 E2 / E3(显示/PCB 清洗水)
  • IPC-9592 — PCB 制造水质
  • ASTM D5128 — 在线 TOC(总有机碳)分析
  • ISO 14644-3 — 洁净室兼容性
  • CE / IEC 61010 / IEC 61326
  • ISO 9001 / ISO 14001

常见问题

Q1. 你的超纯水(UPW)系统实际能维持多高电阻率?

对晶圆厂,在使用点维持 18.2 MΩ·cm,经出厂验收测试(FAT)与现场 SAT 验证。对 FPD / OLED / PCB 清洗线,我们维持 10–16 MΩ·cm——按产线真实需求规格化,避免为不需要的超纯水(UPW)付费。抛光混床再生间隔设计为 12–18 个月。

Q2. 能否与我们的晶圆厂 SCADA / MES 集成?

可以——Modbus TCP / Profinet / EtherNet/IP 为标准配置;可选 SECS/GEM(SEMI E30/E84/E87)。

Q3. 交货与安装需要多久?

≤ 20 t/h 为 12–14 周;50 t/h 为 18–22 周。20 t/h 撬装现场安装 3–4 周。

Q4. 你们接受何种进水?

市政饮用水 TDS ≤ 500 ppm。地表水/河水/海水需配超滤(UF)预处理撬装。

Q5. 你们是否提供 IQ/OQ 文档?

提供——完整 IQ/OQ/PQ(英文),出厂验收测试(FAT)在我司工厂,现场 SAT,材料可追溯性(3.1 证书)与校准证书。

Q6. 质保如何?

整机 12 个月 + 核心部件 36 个月(RO 膜元件、EDI 模块、UV 灯)。

Q7. 你们是否供应耗材与备件?

提供——2 年耗材预测;标准备件存于深圳仓库,国际发货 7 天可达。

Q8. 能否来厂进行出厂验收测试(FAT)?

可以——客户可在深圳工厂进行出厂验收测试(FAT),或远程视频 FAT。

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技术内容由荣耕(Rong Water)工业水处理专家 Ella Liu 审核——10 年以上为半导体、显示(FPD/OLED)及电子行业客户设计反渗透(RO)、EDI(电去离子)与超纯/高纯水系统的经验。

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